인피니언, 300mm SiC 웨이퍼에서 기능성 전력 소자 가공

인피니언 테크놀로지스는 2026년 11월 9일 오스트리아 빌라흐 공장에서 300mm 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼를 기능성 전력 소자로 가공했다고 발표했습니다. 회사는 기존 실리콘(Si) 제조 장비를 활용해 실제 반도체 팹 환경에서 이뤄낸 첫 300mm SiC 전력 소자 가공이라고 밝혔습니다.

웨이퍼는 여러 반도체 칩을 만드는 원판입니다. 인피니언은 300mm 웨이퍼 한 장에서 얻는 칩 수가 200mm 웨이퍼보다 2.3배 많다고 설명했습니다.

전력 반도체는 전력 변환에 쓰이는 부품입니다. 인피니언은 SiC의 재료 특성이 높은 전압과 온도에서 전력 손실을 낮추고 전력 밀도를 높이며 효율적으로 작동하는 데 도움이 된다고 설명합니다. 회사가 든 적용처는 전기차 구동 인버터와 차량 내 충전기, 전기차 충전기, 대규모 에너지 저장 장치, 산업용 구동 장치와 무정전 전원 장치입니다. AI 데이터센터에서는 솔리드스테이트 변압기와 차단기, 전원공급장치에도 SiC가 쓰일 수 있다고 밝혔습니다.

웨이퍼 생산 단계에서도 별도의 진전이 있었습니다. 인피니언은 드레스덴 사업장에서 SiC 결정 덩어리에서 300mm 웨이퍼를 분리하는 Cold Split 공정의 실현 가능성을 확인했다고 발표했습니다. 회사는 이 공정이 기존 와이어 절단 방식보다 재료 손실을 줄이고 처리 시간을 크게 단축해 같은 결정에서 더 많은 웨이퍼를 얻을 수 있다고 설명합니다. 이는 웨이퍼를 만드는 단계로, 빌라흐에서 진행한 웨이퍼의 전력 소자 가공과는 다른 작업입니다.

인피니언은 이번 성과가 300mm SiC 제조의 향후 본격적인 산업화 가능성을 보여준다고 설명했습니다. 300mm SiC 기술과 생산 확대 시점은 고객·협력사와 함께 계획할 예정이며, 기존 200mm SiC 제조 로드맵도 계속 추진한다고 밝혔습니다.