블룸버그 보도: Rapidus, 작동 SRAM 셀 못 만들어…2나노 양산 차질 우려

블룸버그는 11월 10일 Rapidus가 작동하는 SRAM 셀을 아직 만들지 못했다고 보도했습니다. 익명 관계자들은 2028년 3월까지 2나노 칩을 양산하려면 이 단계를 2026년 여름까지 마쳐야 했다고 전했습니다. 이들은 시한을 넘겨 개발이 적어도 수개월 늦어졌으며 양산 목표도 맞추기 어려울 수 있다고 말했습니다.

SRAM은 프로세서에 들어가는 메모리입니다. 블룸버그 보도에 따르면 첨단 로직 칩에는 수억 개의 SRAM 셀이 들어갑니다. 셀마다 트랜지스터를 원자 수준의 정밀도로 구현해야 작동 오류를 막고 데이터를 안정적으로 유지할 수 있습니다. 나노미터 규모에서는 작은 공정 편차도 칩 작동 실패로 이어질 수 있습니다.

IBM Research는 SRAM이 회로 밀도가 높아 공정 편차와 결함에 민감하기 때문에 반도체 공정 검증에 자주 쓰인다고 설명합니다. 따라서 SRAM 셀을 정상적으로 구현하는 일은 메모리 자체를 만드는 데 그치지 않고, 공정에서 편차와 결함을 다루는 능력과도 연결됩니다.

Rapidus는 2025년 7월 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터의 작동을 확인했다고 발표했습니다. 이는 2나노 칩 제조를 향한 초기 진전입니다. 트랜지스터 작동 확인은 개별 소자의 작동을 보여주고, SRAM 셀 작동 확인은 여러 소자가 결합한 회로의 구현 여부를 보여줍니다. Rapidus 대표이사 아쓰오 시미즈는 2025년 인터뷰에서 시제품 제작과 작동 확인이 중요한 진전이었지만, 양산 전에는 장비 공정 조건을 조정하고 성능 특성을 개선해야 한다고 설명했습니다.

블룸버그는 이후 공개된 기술 진전의 주된 사례로 공정설계키트(PDK) 발표를 들었습니다. Rapidus는 PDK를 고객이 자사 회로 설계가 회사의 제조 공정에 맞는지 검토할 때 쓰는 설계 정보와 도구라고 설명합니다. PDK 공개는 고객의 설계 준비를 돕고, 작동하는 SRAM 셀은 제조 공정에서 복잡한 회로를 구현하는 진전을 보여줍니다.

Rapidus 대변인은 기술 개발의 세부 내용은 기밀이라며 양산을 2027회계연도 하반기에 시작하는 목표를 계속 추진한다고 밝혔습니다. 대변인은 9월 정부 기관이 의뢰한 외부 전문가 패널도 회사의 개발이 진행 중이라고 보고했다고 덧붙였습니다.