TSMC, 3D DRAM 검토 보도에 파운드리 집중 입장…공급난 해법은 최소 5년 뒤

TSMC가 엔비디아의 요청에 따라 3D DRAM 제조 계획을 준비한다는 보도가 나왔습니다. Tom's Hardware 기고자 Anton Shilov는 The Information이 계획에 정통한 두 사람을 인용해 이 내용을 보도했다고 전했습니다. TSMC 대변인은 회사가 전용 IC 파운드리 사업에 집중하며 글로벌 로직 IC 산업에 기술과 생산능력을 제공하는 것이 사명이라고 밝혔습니다. Tom's Hardware는 이를 보도 내용에 대한 사실상의 부인으로 해석했습니다. 대변인의 발언은 3D DRAM 계획을 직접 언급하기보다 회사의 사업 방향을 설명했습니다.

기존 DRAM은 메모리 셀을 한 평면에 배열하지만, 3D DRAM은 셀을 여러 층으로 수직 배치해 웨이퍼당 저장 용량을 높입니다. 이를 제조하려면 여러 셀 층을 형성하는 기술과 결함을 제어하면서 수율을 유지하는 공정이 필요합니다. Tom's Hardware는 로직 반도체의 제조 역량을 DRAM에 그대로 적용할 수 없으며, DRAM용 제조 공정을 별도로 개발해야 한다고 설명합니다.

TSMC는 DRAM 업체들과 협력해 고객용 시스템인패키지(SiP)에 메모리를 통합합니다. Tom's Hardware에 따르면 TSMC에는 DRAM 제조 전문성과 생산능력이 없습니다. 3D DRAM 공정을 구축하기 전에 경쟁력 있는 평면 DRAM 공정부터 개발해야 하며, 그 기반 없이 여러 층의 메모리 셀을 안정적으로 생산하기 어렵다는 설명입니다.

Tom's Hardware는 주요 메모리 제조사들도 3D DRAM 구현까지 수년이 필요하고, 메모리 부족을 해결하기까지 최소 5년이 걸릴 것으로 분석했습니다. Micron은 3D DRAM에 앞서 평면 DRAM 공정 기술을 적어도 네 단계 더 발전시키는 전략을 갖고 있습니다.

DRAM을 직접 생산하지 않고 첨단 메모리 사업에서 역할을 넓히는 경로도 있습니다. Tom's Hardware는 TSMC가 HBM용 로직 베이스 다이를 생산하고 SoIC 하이브리드 본딩으로 메모리와 프로세서를 통합하거나, GUC 및 기존 DRAM 업체와 맞춤형 메모리 솔루션을 개발하는 방안을 제시했습니다. 이 방식은 TSMC의 로직·패키징 역량을 메모리 제품에 연결하지만, 자체 DRAM 생산능력을 구축하는 것과는 다른 접근입니다.