Why Micron Is Suddenly Ditching 4F² DRAM as Rivals Double Down
마이크론은 왜 4F² DRAM을 포기하고 경쟁사들은 계속 밀어붙이나
마이크론은 4F² DRAM의 셀 면적 감소가 실제 집적도 향상으로 이어지는 폭은 작고 제조 비용과 복잡도는 커진다며 상용화를 중단합니다. 대신 6F² DRAM을 계속 개선하고 장기적으로 3D DRAM을 추진하겠다는 계획입니다.
- 주제
에디터 노트
4F²가 셀 면적을 줄여도 커패시터 간격과 제조 복잡도가 집적도 이득을 상쇄한다는 설명은 마이크론의 선택을 뒷받침합니다. 하지만 본문에는 비용이나 밀도 차이를 보여주는 수치가 없어, 이 판단이 경쟁사의 실제 생산 결과와 어떻게 맞붙을지는 확인되지 않습니다. 댓글에서는 기존 기술을 고수하는 결정을 포장했다는 의심과, 특정 기술의 상용화를 접고 다른 연구에 집중하는 것은 합리적이라는 반론이 맞섭니다. 둘 다 가능성을 제기할 뿐이며 검증된 사실은 아닙니다. CXMT의 2026년 제품 계획도 경쟁 구도를 가늠할 기준이지만, 계획 발표와 경제적인 대량 생산은 구분해야 합니다.
AI 요약
DRAM의 4F²와 6F²는 공정 노드가 아니라 메모리 셀의 배치와 기하학적 면적을 가리킵니다. 공정 노드 변화에는 1γ, 1δ 같은 표기를 쓰며, 셀 면적은 배치와 제조 공정의 영향을 함께 받습니다.
마이크론이 4F²를 중단한 이유
마이크론의 사장 겸 CTO인 Scott DeBoer는 DRAM 집적도를 정하는 요인이 명목상 셀 면적만은 아니며, 커패시터 사이에 필요한 간격도 중요하다고 설명합니다. 6F²에서 4F²로 바꿔도 집적도 개선은 제한적인 반면 제조 비용과 공정 복잡도는 크게 증가한다는 판단입니다. 마이크론은 4F² 설계를 처음 고안했으며 상용화 방법을 20년 넘게 찾았지만, 결국 제품으로 출시하지 않기로 했습니다.
6F² 개선과 3D DRAM 계획
마이크론은 6F² DRAM의 공정 개선을 이어갑니다. 고밀도 1δ 제품은 수율을 높이는 단계이며, 웨이퍼 본딩을 적용하는 1-ε 제품은 개발 중입니다. 이후 planar DRAM 로드맵에는 ζÅ와 ηÅ가 포함됩니다. 장기 목표인 3D DRAM은 로직 위에 메모리를 얹는 방식과 달리 DRAM 셀 여러 층을 수직으로 적층하는 구조입니다. 각 DRAM 비트에는 트랜지스터와 커패시터가 필요하며, 커패시터는 높은 종횡비를 갖고 저장 전하가 누설됩니다. 셀을 수직으로 쌓으려면 열 간섭과 신호 손상을 해결하면서 기존 구조를 크게 바꿔야 하므로 단기간에 실현되지는 않습니다.
경쟁사의 4F² 추진
삼성전자와 SK하이닉스, 중국 CXMT는 4F² 설계를 추진하고 있습니다. CXMT는 2026년 말까지 서버 DDR5 RDIMM에 4F² DRAM을 넣겠다고 밝혔습니다. 경쟁사가 비용 효율적으로 대량 생산에 성공하면 마이크론은 단기적으로 불리해질 수 있습니다. 반대로 수직 채널 트랜지스터와 커패시터 축소의 비용이 커지고 기술적 한계가 빨리 드러나면, 마이크론의 6F² 개선과 3D DRAM 집중이 유리해질 수 있다는 것이 원문의 전망입니다.
Hacker News 반응
- @InsidiousWombat — 지금처럼 높은 마진이라면 비트를 손으로 납땜해도 이익을 낼 수 있겠습니다. 연구에 더 투자하기보다 기존 공정을 개선하는 편이 말이 됩니다.
- @toast0 — 일반적인 연구를 중단한 것 같지는 않습니다. 한 가지 특정 분야를 중단한 것입니다. 수십 년 동안 연구했지만 상용화 방법을 찾지 못해 다른 방법을 시도하겠다는 것은 다른 회사가 다른 결과를 냈더라도 건전한 결정입니다.
- @adrian_b — 흔히 보이는 셀 배치 그림은 실제 구조를 잘못 보여줍니다. 이상적인 셀은 가로선과 세로선이 만나는 4F²이지만, DRAM은 읽기와 쓰기에 별도 트랜지스터를 써 성능을 높입니다. 선을 공유하고 구조를 쌓아 면적을 줄이면 6F²가 됩니다. 4F²를 만드는 방법은 더 많은 부품을 수직으로 쌓거나 1트랜지스터 셀로 돌아가는 것 등이지만, 줄어든 다이 면적이 더 높은 공정 비용을 상쇄할지는 분명하지 않습니다.
- @Danieru — 혁신을 앞서가는 대신 뒤처진 회사가 기존 기술을 계속 쓰기로 한 결정을 더 나은 혁신을 위해 포기하는 것처럼 포장하는 듯합니다. 4F²가 좋은 선택이라면 경쟁사가 적용하기 전에 왜 계획을 공개했을까요? 투자자 대상 홍보일 수도 있습니다.
- @brudgers — 상장사 경영진은 투자자 질문에 답해야 할 수 있습니다. DRAM은 범용 상품이라 최초 출시 수익을 놓쳐도 장기적으로 이익을 낼 수 있고, 신기술이 처음 나왔을 때 이를 선택하지 않는 시장도 늘 있습니다.
- @bostik — 마이크론의 기존 생산 라인이 너무 수익성이 높아 검증되지 않은 기술에 생산 여력을 돌리기 어려울 수 있습니다. 4F²의 점진적 개선 특허를 많이 보유했다면 다른 회사가 기술과 경제성을 먼저 다듬게 한 뒤 특허를 활용하는 전략도 가능하겠습니다. 그 판단이 맞는지는 지켜봐야 합니다.
- @bcrl — 마이크론이 3D 적층에 집중한다면 면적당 생산 비용을 낮게 유지하려는 선택은 타당합니다. NAND도 3D 적층을 도입할 때 수직 구조의 공정 허용 오차와 장비 비용 때문에 평면 미세화보다 적층 수를 늘리는 편이 저렴했습니다. 다만 DRAM에 이를 적용할 때는 인접 셀 간격과 Rowhammer 같은 신뢰성 문제도 고려해야 한다고 봅니다.
- @ksec — 틀렸으면 좋겠지만, 가까운 시일 안에 DRAM BOM 비용을 GB당 1달러 아래로 낮출 만한 큰 기술 도약이 보이지 않습니다. 4F²만으로도 그 가격에 도달하지 못할 것입니다.
원문: HotHardware / 번역·요약: Trawling